Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Cut Tape (CT),
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 20V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 19W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 3A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA,
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Описание SFT1443-TL-H
MOSFET N-CH 100V 9A TP-FA - N-Channel 100V 9A (Ta) 1W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount DPAK/TP-FA
Транзисторы полевые SFT1443-TL-H
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: -, Packaging: Cut Tape (CT), Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 20V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 19W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 3A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: DPAK/TP-FA, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров