Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: FETKY™,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V,
FET Feature: Schottky Diode (Isolated),
Power Dissipation (Max): 2W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V,
Operating Temperature: -,
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-SOIC,
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Описание NTMSD6N303R2SG
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC - N-Channel 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Транзисторы полевые NTMSD6N303R2SG
Наличие
Техническая спецификация
| ON Semiconductor |
| Manufacturer: ON Semiconductor, Series: FETKY™, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Operating Temperature: -, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-SOIC, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров
