Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Obsolete,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta),
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V,
FET Feature: Schottky Diode (Isolated),
Power Dissipation (Max): -,
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V,
Operating Temperature: -,
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-SOIC,
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Описание NTMSD2P102R2SG
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC - P-Channel 20V 2.3A (Ta)Surface Mount 8-SOIC
Транзисторы полевые NTMSD2P102R2SG
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: -, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): -, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Operating Temperature: -, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-SOIC, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров