Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±8V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 4.5V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363,
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Описание NTJS4405NT4G
MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 - N-Channel 25V 1A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Транзисторы полевые NTJS4405NT4G
Наличие
Техническая спецификация
| ON Semiconductor |
| Manufacturer: ON Semiconductor, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 4.5V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров
