Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.5A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: SOT-223,
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Описание NTF3055-100T3G
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 - N-Channel 60V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223
Транзисторы полевые NTF3055-100T3G
Наличие
Техническая спецификация
| ON Semiconductor |
| Manufacturer: ON Semiconductor, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.5A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-223, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров
