Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Tape & Box (TB),
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-92-3,
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Описание 2N7000RLRPG
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 - N-Channel 60V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Through Hole TO-92-3
Транзисторы полевые 2N7000RLRPG
Наличие
Техническая спецификация
| ON Semiconductor |
| Manufacturer: ON Semiconductor, Series: -, Packaging: Tape & Box (TB), Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 350mW (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-92-3, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров
