Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Renesas Electronics America
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Renesas Electronics America,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 25W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 12.5A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: LFPAK,
Package / Case: SC-100, SOT-669
Описание HAT2267H-EL-E
MOSFET N-CH 80V 25A 5LFPAK - N-Channel 80V 25A (Ta) 25W (Tc) Surface Mount LFPAK
Транзисторы полевые HAT2267H-EL-E
Наличие
Техническая спецификация
| Renesas Electronics America |
| Manufacturer: Renesas Electronics America, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: -, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 12.5A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: LFPAK, Package / Case: SC-100, SOT-669 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров
