Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: OptiMOS™,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): -,
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 21A, 10V,
Operating Temperature: -,
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: P-TO252-3,
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Описание SPD30N06S2-23
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK - N-Channel 55V 30A (Tc)Surface Mount P-TO252-3
Транзисторы полевые SPD30N06S2-23
Наличие
Техническая спецификация
| Infineon Technologies |
| Manufacturer: Infineon Technologies, Series: OptiMOS™, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): -, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 21A, 10V, Operating Temperature: -, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: P-TO252-3, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров
