Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Renesas Electronics America
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Renesas Electronics America,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 160V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -,
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Vgs (Max): ±15V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 100W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: -,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-3P,
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Описание 2SK1058-E
MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P - N-Channel 160V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Транзисторы полевые 2SK1058-E
Наличие
Техническая спецификация
| Renesas Electronics America |
| Manufacturer: Renesas Electronics America, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 160V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -, Vgs(th) (Max) @ Id: -, Vgs (Max): ±15V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: -, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-3P, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров
