Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
IXYS
Техническая спецификация
—
Manufacturer: IXYS,
Series: HiPerFET™, PolarHT™,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 125W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 8A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: ISOPLUS220™,
Package / Case: ISOPLUS220™
Описание IXFC16N50P
MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220 - N-Channel 500V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Транзисторы полевые IXFC16N50P
Наличие
Техническая спецификация
| IXYS |
| Manufacturer: IXYS, Series: HiPerFET™, PolarHT™, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 8A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: ISOPLUS220™, Package / Case: ISOPLUS220™ |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров
