Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Nexperia USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Nexperia USA Inc.,
Series: TrenchMOS™,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 2.5A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-SO,
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Описание PSMN165-200K,518
MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1 - N-Channel 200V 2.9A (Tc) 3.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Транзисторы полевые PSMN165-200K,518
Наличие
Техническая спецификация
Nexperia USA Inc. |
Manufacturer: Nexperia USA Inc., Series: TrenchMOS™, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 2.5A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-SO, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров