Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Nexperia USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Nexperia USA Inc.,
Series: TrenchMOS™,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,
Vgs (Max): ±10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 166W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-220AB,
Package / Case: TO-220-3
Описание BUK9511-55A,127
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB - N-Channel 55V 75A (Tc) 166W (Tc) Through Hole TO-220AB
Транзисторы полевые BUK9511-55A,127
Наличие
Техническая спецификация
| Nexperia USA Inc. |
| Manufacturer: Nexperia USA Inc., Series: TrenchMOS™, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Vgs (Max): ±10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 166W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220AB, Package / Case: TO-220-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров
