Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: SIPMOS®,
Packaging: Cut Tape (CT),
Part Status: Obsolete,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 250V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 430mA, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PG-SOT223-4,
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Описание BSP317PE6327T
MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 - P-Channel 250V 430mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Транзисторы полевые BSP317PE6327T
Наличие
Техническая спецификация
| Infineon Technologies |
| Manufacturer: Infineon Technologies, Series: SIPMOS®, Packaging: Cut Tape (CT), Part Status: Obsolete, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 430mA, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров
