В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
IXYS
Техническая спецификация
—
Manufacturer: IXYS,
Series: HiPerFET™,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 250V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 36W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 30A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP),
Package / Case: TO-220-3
Описание IXFP60N25X3M
MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB - N-Channel 250V 60A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB (IXFP)
Транзисторы полевые IXFP60N25X3M
Наличие
Техническая спецификация
IXYS |
Manufacturer: IXYS, Series: HiPerFET™, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 30A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP), Package / Case: TO-220-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров