В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: CoolMOS™ CE,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 100V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 5W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: PG-SOT223,
Package / Case: SOT-223-3
Описание IPN60R1K0CEATMA1
CONSUMER - N-Channel 600V 6.8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Транзисторы полевые IPN60R1K0CEATMA1
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: CoolMOS™ CE, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 100V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: PG-SOT223, Package / Case: SOT-223-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров