Техническая спецификация
Производитель
—
Renesas
Техническая спецификация
—
- Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
- Built in fast recovery diode in one package
- Trench gate and thin wafer technology
- High speed switching tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 , Ta = 25°C, inductive load)
Описание RJH60F5DPQ-A0#T0
VCES 600V
IC 80A
IGBT высокоскоростное переключение питания
IC 80A
IGBT высокоскоростное переключение питания
Документация
Техническая спецификация
| Renesas |
|
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 20
1 980 ₽
Варианты цен
1 980 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 39
315 ₽
Варианты цен
315 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 12
1 800 ₽
Варианты цен
1 800 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 12
2 880 ₽
Варианты цен
2 880 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
734 ₽
Варианты цен
734 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
94 ₽
Варианты цен
94 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
1 083 ₽
Варианты цен
1 083 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
245 ₽
Варианты цен
245 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 421
1 400 ₽
Варианты цен
1 400 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
161 ₽
Варианты цен
161 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
7 609 ₽
Варианты цен
7 609 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
465 ₽
Варианты цен
465 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
566 ₽
Варианты цен
566 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
1 071 ₽
Варианты цен
1 071 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
568 ₽
Варианты цен
568 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
787 ₽
Варианты цен
787 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
321 ₽
Варианты цен
321 ₽
