HGTG20N60A4D

HGTG20N60A4D — это высоковольтное переключающее устройство с МОП-транзистором, сочетающее в себе лучшие характеристики полевых МОП-транзисторов и биполярных транзисторов. Это устройство имеет высокий входной импеданс MOSFET и низкие потери проводимости в открытом состоянии биполярного транзистора. Гораздо меньшее падение напряжения во включенном состоянии незначительно изменяется в диапазоне от 25°C до 150°C. Используемый IGBT представляет собой тип разработки TA49339. Диод, используемый в встречно-параллельном соединении, представляет собой тип разработки TA49372.
Этот IGBT идеально подходит для многих высоковольтных переключателей, работающих на высоких частотах, где необходимы низкие потери проводимости. Это устройство оптимизировано для высокочастотных импульсных источников питания.