Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
- Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C
- Positive Temperature Co−efficient for easy Parallel Operating
- High Current Capability
- Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.9 V (Typ.) @ IC = 60 A
- High Input Impedance
- Fast Switching: EOFF = 7.5 uJ/A
- Tightened Parameter Distribution
- This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant
Описание FGH60N60SMD
Новая серия IGBT 2-го поколения c технологией Field Stop от ON Semiconductor предлагает оптимальные характеристики для солнечных инверторов, ИБП, сварочных аппаратов, телекоммуникаций, ESS и PFC, где важны низкие потери проводимости и переключения.
Документация
Техническая спецификация
| ON Semiconductor |
|
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 20
1 980 ₽
Варианты цен
1 980 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 39
315 ₽
Варианты цен
315 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 12
1 800 ₽
Варианты цен
1 800 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 12
2 880 ₽
Варианты цен
2 880 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
734 ₽
Варианты цен
734 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
94 ₽
Варианты цен
94 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
1 083 ₽
Варианты цен
1 083 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
245 ₽
Варианты цен
245 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 421
1 400 ₽
Варианты цен
1 400 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
161 ₽
Варианты цен
161 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
7 609 ₽
Варианты цен
7 609 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
465 ₽
Варианты цен
465 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
566 ₽
Варианты цен
566 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
1 071 ₽
Варианты цен
1 071 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
568 ₽
Варианты цен
568 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
787 ₽
Варианты цен
787 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
321 ₽
Варианты цен
321 ₽
