В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Renesas
Техническая спецификация
—
- Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
- Built in fast recovery diode in one package
- Trench gate and thin wafer technology
- High speed switching tf = 74 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 , Ta = 25°C, inductive load)
Описание RJH60F7DPQ-A0#T0
Ток, A: 90
IGBT с диодом: С диодом
Напряжение, V: 600
Высокоскоростное переключение питания
IGBT с диодом: С диодом
Напряжение, V: 600
Высокоскоростное переключение питания
Документация
Наличие
Техническая спецификация
Renesas |
|
Видео
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
Под заказ 3-4 недели
734 ₽
Варианты цен
734 ₽
Под заказ 3-4 недели
94 ₽
Варианты цен
94 ₽
Под заказ 3-4 недели
245 ₽
Варианты цен
245 ₽
Под заказ 3-4 недели
1 083 ₽
Варианты цен
1 083 ₽
Под заказ 3-4 недели
2 100 ₽
Варианты цен
2 100 ₽
Под заказ 3-4 недели
161 ₽
Варианты цен
161 ₽
Под заказ 3-4 недели
7 609 ₽
Варианты цен
7 609 ₽
Под заказ 3-4 недели
1 071 ₽
Варианты цен
1 071 ₽
Под заказ 3-4 недели
465 ₽
Варианты цен
465 ₽
Под заказ 3-4 недели
568 ₽
Варианты цен
568 ₽
Под заказ 3-4 недели
787 ₽
Варианты цен
787 ₽
Под заказ 3-4 недели
566 ₽
Варианты цен
566 ₽
Под заказ 3-4 недели
321 ₽
Варианты цен
321 ₽
Под заказ 3-4 недели
590 ₽
Варианты цен
590 ₽
Под заказ 3-4 недели
546 ₽
Варианты цен
546 ₽
Под заказ 3-4 недели
261 ₽
Варианты цен
261 ₽
Под заказ 3-4 недели
930 ₽
Варианты цен
930 ₽
Под заказ 3-4 недели
238 ₽
Варианты цен
238 ₽
Под заказ 3-4 недели
2 155 ₽
Варианты цен
2 155 ₽
Под заказ 3-4 недели
169 ₽
Варианты цен
169 ₽