Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
- 60 A, 600 V @ TC = 110°C
- Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.8 V @ IC = 30 A
- Typical Fall Time: 58 ns at TJ = 125°C
- Low Conduction Loss
- This is a Pb−Free Device
Описание HGTG30N60A4
HGTG30N60A4 сочетает в себе лучшие характеристики высокого входного сопротивления полевого МОП-транзистора и низких потерь проводимости в открытом состоянии биполярного транзистора. Этот IGBT идеально подходит для многих высоковольтных переключателей, работающих на высоких частотах, где необходимы низкие потери проводимости. Это устройство было оптимизировано для приложений с быстрым переключением.
Документация
Техническая спецификация
| ON Semiconductor |
|
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 20
1 980 ₽
Варианты цен
1 980 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 39
315 ₽
Варианты цен
315 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 12
1 800 ₽
Варианты цен
1 800 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 12
2 880 ₽
Варианты цен
2 880 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
734 ₽
Варианты цен
734 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
1 083 ₽
Варианты цен
1 083 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
94 ₽
Варианты цен
94 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
245 ₽
Варианты цен
245 ₽
Быстрый просмотр
Есть в наличии: 421
1 400 ₽
Варианты цен
1 400 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
161 ₽
Варианты цен
161 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
7 609 ₽
Варианты цен
7 609 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
465 ₽
Варианты цен
465 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
568 ₽
Варианты цен
568 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
566 ₽
Варианты цен
566 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
1 071 ₽
Варианты цен
1 071 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
787 ₽
Варианты цен
787 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
321 ₽
Варианты цен
321 ₽
