В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Renesas
Техническая спецификация
—
- Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
- High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ.
- Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.5 V typ.
Описание RJP30H1DPD, TO-252
Кремниевый N-канальный IGBT.
Высокоскоростное переключение питания.
Высокоскоростное переключение питания.
Документация
Наличие
Техническая спецификация
| Renesas |
|
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
734 ₽
Варианты цен
734 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
94 ₽
Варианты цен
94 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
245 ₽
Варианты цен
245 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
1 083 ₽
Варианты цен
1 083 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
2 100 ₽
Варианты цен
2 100 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
161 ₽
Варианты цен
161 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
7 609 ₽
Варианты цен
7 609 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
465 ₽
Варианты цен
465 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
1 071 ₽
Варианты цен
1 071 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
568 ₽
Варианты цен
568 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
787 ₽
Варианты цен
787 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
566 ₽
Варианты цен
566 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
321 ₽
Варианты цен
321 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
546 ₽
Варианты цен
546 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
590 ₽
Варианты цен
590 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
261 ₽
Варианты цен
261 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
930 ₽
Варианты цен
930 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
238 ₽
Варианты цен
238 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
169 ₽
Варианты цен
169 ₽
Быстрый просмотр
Под заказ 3-4 недели
2 155 ₽
Варианты цен
2 155 ₽
