В корзину
Купить в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Fairchild Semiconductor
Техническая спецификация
—
Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 21
Импульсный ток коллектора (Icm), А 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 160
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247
Структура n-канал+диод
Управляющее напряжение,В 6.8
Дополнительные опции встроенный быстродействующий диод
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 21
Импульсный ток коллектора (Icm), А 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 160
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247
Структура n-канал+диод
Управляющее напряжение,В 6.8
Дополнительные опции встроенный быстродействующий диод
Описание HGTG5N120BND
HGTG5N120BND, HGTP5N120BND и HGT1S5N120BNDS представляют собой конструкции IGBT без сквозного отверстия (NPT). Они являются новыми представителями семейства МОП-транзисторных управляемых высоковольтных переключающих IGBT. IGBT сочетают в себе лучшие характеристики МОП-транзисторов и биполярных транзисторов. Это устройство имеет высокий входной импеданс MOSFET и низкие потери проводимости в открытом состоянии биполярного транзистора. Используемый IGBT представляет собой тип разработки TA49308. Используемый диод относится к типу разработки TA49058 (номер детали RHRD6120).
IGBT идеально подходит для многих высоковольтных коммутационных устройств, работающих на умеренных частотах, где важны низкие потери проводимости, таких как: управление двигателями переменного и постоянного тока, источники питания и драйверы для соленоидов, реле и контакторы.
IGBT идеально подходит для многих высоковольтных коммутационных устройств, работающих на умеренных частотах, где важны низкие потери проводимости, таких как: управление двигателями переменного и постоянного тока, источники питания и драйверы для соленоидов, реле и контакторы.
Документация
Наличие
Техническая спецификация
Fairchild Semiconductor |
Технология/семейство npt Наличие встроенного диода да Максимальное напряжение КЭ ,В 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A 21 Импульсный ток коллектора (Icm), А 40 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 167 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 22 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 160 Рабочая температура (Tj), °C -55…+150 Корпус to-247 Структура n-канал+диод Управляющее напряжение,В 6.8 Дополнительные опции встроенный быстродействующий диод |
Видео
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
Под заказ 3-4 недели
734 ₽
Варианты цен
734 ₽
Под заказ 3-4 недели
94 ₽
Варианты цен
94 ₽
Под заказ 3-4 недели
245 ₽
Варианты цен
245 ₽
Под заказ 3-4 недели
1 083 ₽
Варианты цен
1 083 ₽
Под заказ 3-4 недели
2 100 ₽
Варианты цен
2 100 ₽
Под заказ 3-4 недели
161 ₽
Варианты цен
161 ₽
Под заказ 3-4 недели
7 609 ₽
Варианты цен
7 609 ₽
Под заказ 3-4 недели
1 071 ₽
Варианты цен
1 071 ₽
Под заказ 3-4 недели
465 ₽
Варианты цен
465 ₽
Под заказ 3-4 недели
568 ₽
Варианты цен
568 ₽
Под заказ 3-4 недели
787 ₽
Варианты цен
787 ₽
Под заказ 3-4 недели
566 ₽
Варианты цен
566 ₽
Под заказ 3-4 недели
321 ₽
Варианты цен
321 ₽
Под заказ 3-4 недели
546 ₽
Варианты цен
546 ₽
Под заказ 3-4 недели
590 ₽
Варианты цен
590 ₽
Под заказ 3-4 недели
261 ₽
Варианты цен
261 ₽
Под заказ 3-4 недели
930 ₽
Варианты цен
930 ₽
Под заказ 3-4 недели
238 ₽
Варианты цен
238 ₽
Под заказ 3-4 недели
2 155 ₽
Варианты цен
2 155 ₽
Под заказ 3-4 недели
169 ₽
Варианты цен
169 ₽