Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
NXP USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: NXP USA Inc.,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -,
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): -,
Rds On (Max) @ Id, Vgs: -,
Operating Temperature: -,
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8,
Package / Case: SC-100, SOT-669
Описание BUK9Y7R8-80E,115
MOSFET N-CH 80V LFPAK - N-Channel 80V Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Транзисторы полевые BUK9Y7R8-80E,115
Наличие
Техническая спецификация
NXP USA Inc. |
Manufacturer: NXP USA Inc., Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -, Vgs(th) (Max) @ Id: -, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): -, Rds On (Max) @ Id, Vgs: -, Operating Temperature: -, Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Package / Case: SC-100, SOT-669 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров