FF200R12KT4HOSA1 силовой IGBT-модуль Infineon

FF200R12KT4HOSA1 — силовой IGBT-модуль Infineon серии 62 mm C-series, рассчитанный на коммутацию токов в промышленных преобразователях высокой мощности. Компонент содержит два IGBT-транзистора с обратными диодами и выполнен по схеме полумоста. Номинальный ток коллектора составляет 200 А, а максимальное напряжение коллектор–эмиттер — 1200 В.

Модуль изготовлен с применением технологии TRENCHSTOP™ IGBT4, объединяющей траншейную структуру затвора и полевой стоп-слой. Такое исполнение обеспечивает оптимальное соотношение между потерями проводимости и динамическими потерями. Типовое напряжение насыщения коллектор–эмиттер составляет 1,75 В при токе 200 А и температуре перехода 25 °C. Встроенный затворный резистор сопротивлением 3,8 Ом способствует стабильному управлению силовыми ключами.

Каждый IGBT дополнен оптимизированным диодом Emitter Controlled с мягкими характеристиками обратного восстановления. Номинальный прямой ток диода равен 200 А, а типовое прямое напряжение — 1,65 В. Энергия включения IGBT при температуре перехода 125 °C составляет 15 мДж, энергия выключения — 20 мДж. Тепловое сопротивление переход–корпус равно 0,135 К/Вт для каждого транзистора и 0,20 К/Вт для каждого диода.

Медное основание и внутренняя изоляция из оксида алюминия обеспечивают эффективную передачу тепла на радиатор и электрическое разделение силовой цепи. Испытательное напряжение изоляции составляет 4 кВ AC. Рабочий температурный диапазон при переключении — от −40 до +150 °C. Исполнение HOSA1 является официальным кодом заказа Infineon; изделие имеет активный статус, соответствует RoHS и поставляется в лотках по 10 модулей.

Область применения

• частотно-регулируемые промышленные электроприводы;
• инверторы управления электродвигателями;
• фотоэлектрические преобразователи;
• источники бесперебойного питания;
• промышленное преобразовательное оборудование.