Софт Логистик
Интернет-магазин электронных компонентов
Каталог
IGBT модули
Транзисторы биполярные (IGBTs)
Диодно-тиристорные модули
Средства разработки и прототипирования
Промышленное оборудование
Драйверы для IGBT модулей
Микросхемы
Транзисторы полевые
В наличии
Серверное оборудование
Товары в наличии
IGBT модуль CM300DY-12NF
FF200R12KT4HOSA1 силовой IGBT-модуль Infineon
IGBT модуль IRAM136-3063B
IGBT модуль CM600DY-24A
CM2400HCB-34N высоковольтный IGBT-модуль Mitsubishi Electric
IGBT модуль CM200DY-12NF
IGBT модуль SKM300GB125D
Модуль SKKT570/18E
Транзистор FGL40N120AND
IGBT модуль MCC501-16IO2
Как купить
Компания
Контакты
+7 (499) 325-63-03
+7 (499) 325-63-03
+7 (995) 301-28-09
Заказать звонок
Задать вопрос
Войти
  • Корзина0
  • Отложенные0
  • Сравнение товаров0
zakaz@soft-logistic.ru
г. Москва, ул Кулакова, д. 20, стр. 1а (Технопарк Орбита)
  • Telegram
  • telegram
  • Viber
Софт Логистик
+7 (499) 325-63-03
+7 (995) 301-28-09
E-mail
zakaz@soft-logistic.ru
г. Москва, ул Кулакова, д. 20, стр. 1а (Технопарк Орбита)
Товары в наличии
Как купить
О компании
Контакты
+  ЕЩЕ
    Войти
    Сравнение0
    Отложенные 0
    Корзина 0
    Каталог
    • IGBT модули
      IGBT модули
    • Транзисторы биполярные (IGBTs)
      Транзисторы биполярные (IGBTs)
    • Диодно-тиристорные модули
      Диодно-тиристорные модули
    • Средства разработки и прототипирования
      Средства разработки и прототипирования
    • Промышленное оборудование
      Промышленное оборудование
    • Драйверы для IGBT модулей
      Драйверы для IGBT модулей
    • Микросхемы
      Микросхемы
    • Транзисторы полевые
      Транзисторы полевые
    • Серверное оборудование
      Серверное оборудование
    Софт Логистик
    +7 (499) 325-63-03
    +7 (499) 325-63-03
    +7 (995) 301-28-09
    Сравнение0 Отложенные 0 Корзина 0
    Софт Логистик
    Сравнение0 Отложенные 0 Корзина 0
    Телефоны
    +7 (499) 325-63-03
    +7 (995) 301-28-09
    • Каталог
      • Назад
      • Каталог
      • IGBT модули
      • Транзисторы биполярные (IGBTs)
      • Диодно-тиристорные модули
      • Средства разработки и прототипирования
      • Промышленное оборудование
      • Драйверы для IGBT модулей
      • Микросхемы
      • Транзисторы полевые
      • В наличии
      • Серверное оборудование
    • Товары в наличии
      • Назад
      • Товары в наличии
      • IGBT модуль CM300DY-12NF
      • FF200R12KT4HOSA1 силовой IGBT-модуль Infineon
      • IGBT модуль IRAM136-3063B
      • IGBT модуль CM600DY-24A
      • CM2400HCB-34N высоковольтный IGBT-модуль Mitsubishi Electric
      • IGBT модуль CM200DY-12NF
      • IGBT модуль SKM300GB125D
      • Модуль SKKT570/18E
      • Транзистор FGL40N120AND
      • IGBT модуль MCC501-16IO2
    • Как купить
    • Компания
    • Контакты
    • Личный кабинет
    • Корзина0
    • Отложенные0
    • Сравнение товаров0
    • +7 (499) 325-63-03
      • Назад
      • Телефоны
      • +7 (499) 325-63-03
      • +7 (995) 301-28-09
    Контактная информация
    г. Москва, ул Кулакова, д. 20, стр. 1а (Технопарк Орбита)
    zakaz@soft-logistic.ru
    • Telegram
    • telegram
    • Viber

    CM2400HCB-34N высоковольтный IGBT-модуль Mitsubishi Electric

    Главная
    —
    Каталог
    —
    IGBT модули
    —CM2400HCB-34N высоковольтный IGBT-модуль Mitsubishi Electric
    Наличие
    CM2400HCB-34N высоковольтный IGBT-модуль Mitsubishi Electric
    Артикул: CM2400HCB-34N
    33 000 ₽/шт
    Варианты цен
    33 000 ₽/шт
    Подробности
    Есть в наличии: 6
    В корзинуВ корзине
    Купить в 1 клик
    Техническая спецификация
    Техническая спецификация
    —
    • Производитель: Mitsubishi Electric Corporation
    • Модель: CM2400HCB-34N
    • Тип: высоковольтный силовой IGBT-модуль
    • Серия: HVIGBT четвёртого поколения
    • Количество силовых элементов: 1 IGBT
    • Встроенный диод: антипараллельный диод мягкого восстановления
    • Технология IGBT: CSTBT, траншейный затвор
    • Материал основания: AlSiC
    • Напряжение коллектор–эмиттер: 1700 В
    • Напряжение затвор–эмиттер: ±20 В
    • Постоянный ток коллектора: 2400 А при 80 °C
    • Импульсный ток коллектора: 4800 А
    • Постоянный ток встроенного диода: 2400 А
    • Импульсный ток встроенного диода: 4800 А
    • Максимальная рассеиваемая мощность: 15 600 Вт
    • Пороговое напряжение затвора: 5,5…7,5 В, типичное 6,5 В
    • Типичное напряжение насыщения IGBT: 2,10 В при 2400 А и 25 °C
    • Максимальное напряжение насыщения IGBT: 2,70 В при 2400 А и 25 °C
    • Типичное напряжение насыщения при 125 °C: 2,35 В
    • Типичное прямое напряжение диода: 2,20 В при 2400 А и 25 °C
    • Максимальное прямое напряжение диода: 3,00 В при 2400 А и 25 °C
    • Входная ёмкость: 396 нФ
    • Выходная ёмкость: 21,6 нФ
    • Ёмкость обратной передачи: 6,3 нФ
    • Полный заряд затвора: 27,4 мкКл
    • Типичная задержка включения: 0,90 мкс
    • Типичное время нарастания: 0,30 мкс
    • Типичная энергия включения: 0,83 Дж/импульс
    • Типичная задержка выключения: 1,60 мкс
    • Типичное время спада: 0,25 мкс
    • Типичная энергия выключения: 0,70 Дж/импульс
    • Типичное время обратного восстановления диода: 0,90 мкс
    • Заряд обратного восстановления: 750 мкКл
    • Типичная энергия обратного восстановления: 0,42 Дж/импульс
    • Максимальная длительность короткого замыкания: 10 мкс
    • Напряжение изоляции: 4000 В RMS, 60 Гц, 1 мин
    • Тепловое сопротивление переход–корпус, IGBT: 8,0 К/кВт
    • Тепловое сопротивление переход–корпус, диод: 12,0 К/кВт
    • Контактное тепловое сопротивление корпус–радиатор: 6,0 К/кВт
    • Рабочая температура перехода: −40…+125 °C
    • Предельная температура перехода: −40…+150 °C
    • Температура хранения: −40…+125 °C
    • Внутренняя паразитная индуктивность: 10 нГн
    • Внутреннее сопротивление силовых соединений: 0,18 мОм
    • Путь утечки: 32 мм
    • Воздушный зазор: 19,5 мм
    • Индекс трекингостойкости CTI: не менее 600
    • Габариты: приблизительно 190 × 140 × 41,25 мм
    • Масса: 1,5 кг
    • Момент затяжки силовых выводов M8: 7…13 Н·м
    • Момент затяжки крепёжных винтов M6: 3…6 Н·м
    • Момент затяжки вспомогательных выводов M4: 1…2 Н·м

    Описание CM2400HCB-34N высоковольтный IGBT-модуль Mitsubishi Electric

    CM2400HCB-34N — высоковольтный силовой IGBT-модуль производства Mitsubishi Electric, предназначенный для коммутации больших токов в тяговых и промышленных преобразователях. Модель относится к HVIGBT четвёртого поколения и содержит один IGBT с антипараллельным диодом мягкого восстановления. Максимальное напряжение коллектор–эмиттер составляет 1700 В, постоянный ток коллектора — 2400 А при температуре корпуса 80 °C, импульсный ток — 4800 А.

    В модуле применяется IGBT со структурой CSTBT и траншейным затвором, обеспечивающий высокую токовую нагрузку при контролируемых потерях проводимости и переключения. Типичное напряжение насыщения коллектор–эмиттер составляет 2,10 В при токе 2400 А, напряжении затвора 15 В и температуре перехода 25 °C. Максимальное значение при этих условиях равно 2,70 В. Полный заряд затвора составляет 27,4 мкКл, входная ёмкость — 396 нФ.

    Типичная задержка включения составляет 0,90 мкс, время нарастания — 0,30 мкс, задержка выключения — 1,60 мкс, время спада — 0,25 мкс. Максимальная длительность импульса короткого замыкания равна 10 мкс при напряжении звена 1000 В и температуре перехода 125 °C. Максимальная рассеиваемая мощность IGBT достигает 15 600 Вт. Электрическая прочность изоляции составляет 4000 В RMS при частоте 60 Гц в течение 1 мин.

    CM2400HCB-34N выполнен в изолированном корпусе с основанием из AlSiC, обладающим высокой механической стабильностью при тепловых циклах. Габариты модуля составляют приблизительно 190 × 140 × 41,25 мм, масса — 1,5 кг. Рабочая температура перехода находится в диапазоне −40…+125 °C, предельно допустимая температура перехода достигает +150 °C. Конструкция рассчитана на непосредственное винтовое крепление к радиатору.

    Область применения

    • тяговые электроприводы;
    • преобразователи для железнодорожного транспорта;
    • высоконадёжные промышленные инверторы;
    • силовые преобразователи большой мощности;
    • промышленные электроприводы;
    • преобразователи постоянного напряжения и DC-чопперы.

    Документация

    IGBT модуль CM2400HCB-34N инструкция, описание, характеристики 95,2 кб

    Техническая спецификация

    • Производитель: Mitsubishi Electric Corporation
    • Модель: CM2400HCB-34N
    • Тип: высоковольтный силовой IGBT-модуль
    • Серия: HVIGBT четвёртого поколения
    • Количество силовых элементов: 1 IGBT
    • Встроенный диод: антипараллельный диод мягкого восстановления
    • Технология IGBT: CSTBT, траншейный затвор
    • Материал основания: AlSiC
    • Напряжение коллектор–эмиттер: 1700 В
    • Напряжение затвор–эмиттер: ±20 В
    • Постоянный ток коллектора: 2400 А при 80 °C
    • Импульсный ток коллектора: 4800 А
    • Постоянный ток встроенного диода: 2400 А
    • Импульсный ток встроенного диода: 4800 А
    • Максимальная рассеиваемая мощность: 15 600 Вт
    • Пороговое напряжение затвора: 5,5…7,5 В, типичное 6,5 В
    • Типичное напряжение насыщения IGBT: 2,10 В при 2400 А и 25 °C
    • Максимальное напряжение насыщения IGBT: 2,70 В при 2400 А и 25 °C
    • Типичное напряжение насыщения при 125 °C: 2,35 В
    • Типичное прямое напряжение диода: 2,20 В при 2400 А и 25 °C
    • Максимальное прямое напряжение диода: 3,00 В при 2400 А и 25 °C
    • Входная ёмкость: 396 нФ
    • Выходная ёмкость: 21,6 нФ
    • Ёмкость обратной передачи: 6,3 нФ
    • Полный заряд затвора: 27,4 мкКл
    • Типичная задержка включения: 0,90 мкс
    • Типичное время нарастания: 0,30 мкс
    • Типичная энергия включения: 0,83 Дж/импульс
    • Типичная задержка выключения: 1,60 мкс
    • Типичное время спада: 0,25 мкс
    • Типичная энергия выключения: 0,70 Дж/импульс
    • Типичное время обратного восстановления диода: 0,90 мкс
    • Заряд обратного восстановления: 750 мкКл
    • Типичная энергия обратного восстановления: 0,42 Дж/импульс
    • Максимальная длительность короткого замыкания: 10 мкс
    • Напряжение изоляции: 4000 В RMS, 60 Гц, 1 мин
    • Тепловое сопротивление переход–корпус, IGBT: 8,0 К/кВт
    • Тепловое сопротивление переход–корпус, диод: 12,0 К/кВт
    • Контактное тепловое сопротивление корпус–радиатор: 6,0 К/кВт
    • Рабочая температура перехода: −40…+125 °C
    • Предельная температура перехода: −40…+150 °C
    • Температура хранения: −40…+125 °C
    • Внутренняя паразитная индуктивность: 10 нГн
    • Внутреннее сопротивление силовых соединений: 0,18 мОм
    • Путь утечки: 32 мм
    • Воздушный зазор: 19,5 мм
    • Индекс трекингостойкости CTI: не менее 600
    • Габариты: приблизительно 190 × 140 × 41,25 мм
    • Масса: 1,5 кг
    • Момент затяжки силовых выводов M8: 7…13 Н·м
    • Момент затяжки крепёжных винтов M6: 3…6 Н·м
    • Момент затяжки вспомогательных выводов M4: 1…2 Н·м

    Видео

    Похожие товары

    PS22A73 интеллектуальный силовой модуль DIPIPM Mitsubishi Electric
    Быстрый просмотр
    PS22A73 интеллектуальный силовой модуль DIPIPM Mitsubishi Electric
    Есть в наличии: 4
    6 000 ₽
    Варианты цен
    6 000 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    IGBT модуль SKM300GB125D
    Быстрый просмотр
    IGBT модуль SKM300GB125D
    Есть в наличии: 28
    7 800 ₽
    Варианты цен
    7 800 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    Модуль PS22A72
    Быстрый просмотр
    Модуль PS22A72
    Под заказ 3-4 недели
    5 100 ₽
    Варианты цен
    5 100 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    IGBT МОДУЛЬ SEMIX302GB066HDS
    Быстрый просмотр
    IGBT МОДУЛЬ SEMIX302GB066HDS
    Есть в наличии: 6
    10 000 ₽
    Варианты цен
    10 000 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    SKM200GB12T4 IGBT-модуль SEMIKRON
    Быстрый просмотр
    SKM200GB12T4 IGBT-модуль SEMIKRON
    Есть в наличии: 4
    12 500 ₽
    Варианты цен
    12 500 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    IGBT модуль CM600DY-24A
    Быстрый просмотр
    IGBT модуль CM600DY-24A
    Есть в наличии: 2
    15 000 ₽
    Варианты цен
    15 000 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    IGBT модуль MCC162-16IO1
    Быстрый просмотр
    IGBT модуль MCC162-16IO1
    Есть в наличии: 1
    6 336 ₽
    Варианты цен
    6 336 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    IGBT МОДУЛЬ CM900HG-130X
    Быстрый просмотр
    IGBT МОДУЛЬ CM900HG-130X
    Под заказ 3-4 недели
    72 400 ₽
    Варианты цен
    72 400 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    IGBT модуль PM25RSK120
    Быстрый просмотр
    IGBT модуль PM25RSK120
    Есть в наличии: 4
    21 000 ₽
    Варианты цен
    21 000 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    IGBT модуль MTC500-16
    Быстрый просмотр
    IGBT модуль MTC500-16
    Есть в наличии: 12
    10 000 ₽
    Варианты цен
    10 000 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    IGBT модуль SKKH57/14E
    Быстрый просмотр
    IGBT модуль SKKH57/14E
    Есть в наличии: 4
    3 500 ₽
    Варианты цен
    3 500 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    IGBT модуль 2MBI150U4A-120 (черный)
    Быстрый просмотр
    IGBT модуль 2MBI150U4A-120 (черный)
    Есть в наличии: 3
    5 500 ₽
    Варианты цен
    5 500 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    IGBT МОДУЛЬ SKKH162/12E
    Быстрый просмотр
    IGBT МОДУЛЬ SKKH162/12E
    Под заказ 3-4 недели
    3 000 ₽
    Варианты цен
    3 000 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    IGBT модуль CM450DX-24T#300G
    Быстрый просмотр
    IGBT модуль CM450DX-24T#300G
    Есть в наличии: 1
    5 000 ₽
    Варианты цен
    5 000 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    Модуль MCD312-16IO1
    Быстрый просмотр
    Модуль MCD312-16IO1
    Есть в наличии: 36
    10 000 ₽
    Варианты цен
    10 000 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    IGBT модуль CM75RX-24S
    Быстрый просмотр
    IGBT модуль CM75RX-24S
    Под заказ 3-4 недели
    25 000 ₽
    Варианты цен
    25 000 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    BSM100GB120DN2HOSA1 силовой IGBT-модуль Infineon Technologies
    Быстрый просмотр
    BSM100GB120DN2HOSA1 силовой IGBT-модуль Infineon Technologies
    Есть в наличии: 1
    5 000 ₽
    Варианты цен
    5 000 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    SKM400GB12E4 силовой IGBT-модуль SEMIKRON
    Быстрый просмотр
    SKM400GB12E4 силовой IGBT-модуль SEMIKRON
    Есть в наличии: 20
    18 700 ₽
    Варианты цен
    18 700 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    IGBT модуль MCC501-16IO2
    Быстрый просмотр
    IGBT модуль MCC501-16IO2
    Есть в наличии: 2
    17 000 ₽
    Варианты цен
    17 000 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине
    IGBT МОДУЛЬ SKM400GB12T4
    Быстрый просмотр
    IGBT МОДУЛЬ SKM400GB12T4
    Под заказ 3-4 недели
    15 400 ₽
    Варианты цен
    15 400 ₽
    Подробности
    В корзинуВ корзине

    Нужна консультация?

    Наши специалисты ответят на любой интересующий вопрос
    Задать вопрос
    Каталог
    • IGBT модули
    • Транзисторы биполярные (IGBTs)
    • Диодно-тиристорные модули
    • Средства разработки и прототипирования
    • Промышленное оборудование
    • Драйверы для IGBT модулей
    • Микросхемы
    • Транзисторы полевые
    • Серверное оборудование
    Каталог
    IGBT модули
    Транзисторы биполярные (IGBTs)
    Диодно-тиристорные модули
    Средства разработки и прототипирования
    Промышленное оборудование
    Драйверы для IGBT модулей
    Микросхемы
    Транзисторы полевые
    В наличии
    Серверное оборудование
    Товары в наличии
    IGBT модуль CM300DY-12NF
    FF200R12KT4HOSA1 силовой IGBT-модуль Infineon
    IGBT модуль IRAM136-3063B
    IGBT модуль CM600DY-24A
    CM2400HCB-34N высоковольтный IGBT-модуль Mitsubishi Electric
    IGBT модуль CM200DY-12NF
    IGBT модуль SKM300GB125D
    Модуль SKKT570/18E
    Транзистор FGL40N120AND
    IGBT модуль MCC501-16IO2
    О компании
    О компании
    Как купить
    Контакты
    Согласие на обработку данных
    Политика конфиденциальности
    Политика в отношении файлов cookie
    +7 (499) 325-63-03
    +7 (499) 325-63-03
    +7 (995) 301-28-09
    zakaz@soft-logistic.ru
    г. Москва, ул Кулакова, д. 20, стр. 1а (Технопарк Орбита)
    Поиск компонентов
    +79953012809
    Max
    2017-2026 © ООО «Софт-Логистик»
    Разработано
    Digital Agency