Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
NXP USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: NXP USA Inc.,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3nC @ 4.5V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565pF @ 12V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8,
Package / Case: SC-100, SOT-669
Описание PH9030L,115
MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK - N-Channel 30V 63A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Транзисторы полевые PH9030L,115
Наличие
Техническая спецификация
NXP USA Inc. |
Manufacturer: NXP USA Inc., Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565pF @ 12V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Package / Case: SC-100, SOT-669 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров