Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
NXP USA Inc.
Техническая спецификация
—
Manufacturer: NXP USA Inc.,
Series: TrenchMOS™,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 12A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-HVSON (6x5),
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Описание PHM18NQ15T,518
MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1 - N-Channel 150V 19A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (6x5)
Транзисторы полевые PHM18NQ15T,518
Наличие
Техническая спецификация
NXP USA Inc. |
Manufacturer: NXP USA Inc., Series: TrenchMOS™, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 12A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-HVSON (6x5), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров