Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Microsemi Corporation
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Microsemi Corporation,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: SiCFET (Silicon Carbide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 500µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 20V,
Vgs (Max): +25V, -10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 249pF @ 1000V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 65W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 2.5A, 20V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-247,
Package / Case: TO-247-3
Описание APT5SM170B
MOSFET N-CH 700V TO247 - N-Channel 1700V 5A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-247
Транзисторы полевые APT5SM170B
Наличие
Техническая спецификация
Microsemi Corporation |
Manufacturer: Microsemi Corporation, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 500µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 249pF @ 1000V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 2.5A, 20V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-247, Package / Case: TO-247-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров