Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Microsemi Corporation
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Microsemi Corporation,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: SiCFET (Silicon Carbide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 700V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 20V,
Vgs (Max): +25V, -10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035pF @ 700V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 176W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 10A, 20V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-247,
Package / Case: TO-247-3
Описание APT35SM70B
MOSFET N-CH 700V TO247 - N-Channel 700V 35A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247
Транзисторы полевые APT35SM70B
Наличие
Техническая спецификация
Microsemi Corporation |
Manufacturer: Microsemi Corporation, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 700V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035pF @ 700V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 10A, 20V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-247, Package / Case: TO-247-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров