Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: SuperFET™,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A,
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 417W,
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 23.5A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-3PN,
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Описание FCA47N60F_SN00171
MOSFET N-CH TO-3PN - N-Channel 600V 47A 417W Through Hole TO-3PN
Транзисторы полевые FCA47N60F_SN00171
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: SuperFET™, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 417W, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 23.5A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-3PN, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров