Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Taiwan Semiconductor Corporation
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Taiwan Semiconductor Corporation,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 90W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.8A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak),
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Описание TSM6N50CP ROG
MOSFET N-CH 500V 5.6A TO252 - N-Channel 500V 5.6A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Транзисторы полевые TSM6N50CP ROG
Наличие
Техническая спецификация
Taiwan Semiconductor Corporation |
Manufacturer: Taiwan Semiconductor Corporation, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.8A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров