Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Taiwan Semiconductor Corporation
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Taiwan Semiconductor Corporation,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Obsolete,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9.1A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-SOP,
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Описание TSM4435BCS RLG
MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP - P-Channel 30V 9.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Транзисторы полевые TSM4435BCS RLG
Наличие
Техническая спецификация
Taiwan Semiconductor Corporation |
Manufacturer: Taiwan Semiconductor Corporation, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9.1A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-SOP, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров