Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Microsemi Corporation
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Microsemi Corporation,
Series: POWER MOS IV®,
Packaging: Tray,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 370nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 520W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 21.5A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Chassis Mount,
Supplier Device Package: ISOTOP®,
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Описание APT5012JN
MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP - N-Channel 500V 43A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Транзисторы полевые APT5012JN
Наличие
Техническая спецификация
Microsemi Corporation |
Manufacturer: Microsemi Corporation, Series: POWER MOS IV®, Packaging: Tray, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 370nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 21.5A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Supplier Device Package: ISOTOP®, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров