Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: OptiMOS™,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 15V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 56W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: PG-TO251-3,
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Описание IPS060N03LGBKMA1
MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3 - N-Channel 30V 50A (Tc) 56W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Транзисторы полевые IPS060N03LGBKMA1
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: OptiMOS™, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 15V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: PG-TO251-3, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров