Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Cree/Wolfspeed
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Cree/Wolfspeed,
Series: Z-FET™,
Packaging: Bulk,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: SiCFET (Silicon Carbide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.8nC @ 20V,
Vgs (Max): +25V, -5V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1915pF @ 800V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 313mW (Tj),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 20V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: Die,
Package / Case: Die
Описание CPMF-1200-S080B
MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE - N-Channel 1200V 50A (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount Die
Транзисторы полевые CPMF-1200-S080B
Наличие
Техническая спецификация
Cree/Wolfspeed |
Manufacturer: Cree/Wolfspeed, Series: Z-FET™, Packaging: Bulk, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.8nC @ 20V, Vgs (Max): +25V, -5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1915pF @ 800V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 313mW (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 20V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: Die, Package / Case: Die |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров