Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Microsemi Corporation
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Microsemi Corporation,
Series: -,
Packaging: Bulk,
Part Status: Obsolete,
FET Type: P-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 150W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 15.8A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-3,
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Описание JANTXV2N6898
MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 - P-Channel 100V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3
Транзисторы полевые JANTXV2N6898
Наличие
Техническая спецификация
Microsemi Corporation |
Manufacturer: Microsemi Corporation, Series: -, Packaging: Bulk, Part Status: Obsolete, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 15.8A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-3, Package / Case: TO-204AA, TO-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров