Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Vishay Siliconix
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Vishay Siliconix,
Series: TrenchFET®,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 73.5W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 6A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-220AB,
Package / Case: TO-220-3
Описание SUP25P10-138-GE3
MOSFET P-CH 100V 16.3A TO220AB - N-Channel 100V 16.3A (Tc) 3.1W (Ta), 73.5W (Tc) Through Hole TO-220AB
Транзисторы полевые SUP25P10-138-GE3
Наличие
Техническая спецификация
Vishay Siliconix |
Manufacturer: Vishay Siliconix, Series: TrenchFET®, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 73.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 6A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220AB, Package / Case: TO-220-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров