Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950pF @ 50V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 200W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 50A, 15V,
Operating Temperature: 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263),
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Описание NDBA180N10BT4H
MOSFET N-CH 100V 180A DPAK - N-Channel 100V 180A (Ta) 200W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Транзисторы полевые NDBA180N10BT4H
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950pF @ 50V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 50A, 15V, Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров