Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: FASTIRFET™, HEXFET®,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160pF @ 50V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 56A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN,
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Описание IRF7171MTRPBF
MOSFET N-CH 100V 15A - N-Channel 100V 15A (Ta), 93A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Транзисторы полевые IRF7171MTRPBF
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: FASTIRFET™, HEXFET®, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 150µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160pF @ 50V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 56A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN, Package / Case: DirectFET™ Isometric MN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров