Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Infineon Technologies
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Infineon Technologies,
Series: HEXFET®,
Packaging: Tube,
Part Status: Discontinued at Digi-Key,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460pF @ 50V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 350W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7 mOhm @ 34A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead),
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Описание IRFS4321-7PPBF
MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK - N-Channel 150V 86A (Tc) 350W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Транзисторы полевые IRFS4321-7PPBF
Наличие
Техническая спецификация
Infineon Technologies |
Manufacturer: Infineon Technologies, Series: HEXFET®, Packaging: Tube, Part Status: Discontinued at Digi-Key, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 150V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460pF @ 50V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 350W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7 mOhm @ 34A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead), Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров