Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Vishay Semiconductor Diodes Division
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Vishay Semiconductor Diodes Division,
Series: -,
Packaging: Bulk,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 500W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 23A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Chassis Mount,
Supplier Device Package: SOT-227,
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Описание VS-FA38SA50LCP
MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 - N-Channel 500V 38A (Tc) 500W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Транзисторы полевые VS-FA38SA50LCP
Наличие
Техническая спецификация
Vishay Semiconductor Diodes Division |
Manufacturer: Vishay Semiconductor Diodes Division, Series: -, Packaging: Bulk, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 23A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Chassis Mount, Supplier Device Package: SOT-227, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров