Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Vishay Siliconix
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Vishay Siliconix,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 90V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-39,
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Описание 2N6661JTXL02
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 - N-Channel 90V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Транзисторы полевые 2N6661JTXL02
Наличие
Техническая спецификация
Vishay Siliconix |
Manufacturer: Vishay Siliconix, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 90V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-39, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров