Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Microsemi Corporation
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Microsemi Corporation,
Series: Military, MIL-PRF-19500/557,
Packaging: Bulk,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.51nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 8A, 10V,
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49),
Package / Case: 18-CLCC
Описание JANTX2N6796U
MOSFET N-CH 100V 8A - N-Channel 100V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)
Транзисторы полевые JANTX2N6796U
Наличие
Техническая спецификация
Microsemi Corporation |
Manufacturer: Microsemi Corporation, Series: Military, MIL-PRF-19500/557, Packaging: Bulk, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.51nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 8A, 10V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49), Package / Case: 18-CLCC |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров