Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V,
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 4V,
Vgs (Max): ±10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 4A, 4V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: TSM,
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Описание SSM3K310T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS - N-Channel 20V 5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM
Транзисторы полевые SSM3K310T(TE85L,F)
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs(th) (Max) @ Id: -, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 4V, Vgs (Max): ±10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 4A, 4V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TSM, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров