Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Toshiba Semiconductor and Storage
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage,
Series: π-MOSVI,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V,
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Vgs (Max): ±10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1.6A, 4V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: TSM,
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Описание SSM3K01T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM - N-Channel 30V 3.2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSM
Транзисторы полевые SSM3K01T(TE85L,F)
Наличие
Техническая спецификация
Toshiba Semiconductor and Storage |
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage, Series: π-MOSVI, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs(th) (Max) @ Id: -, Vgs (Max): ±10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1.6A, 4V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TSM, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров