Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Renesas Electronics America
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Renesas Electronics America,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 600V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 Ohm @ 50mA, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-92(1),
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Описание RJK6011DJE-00#Z0
MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92 - N-Channel 600V 100mA (Ta) 900mW (Ta) Through Hole TO-92(1)
Транзисторы полевые RJK6011DJE-00#Z0
Наличие
Техническая спецификация
Renesas Electronics America |
Manufacturer: Renesas Electronics America, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: -, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 Ohm @ 50mA, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-92(1), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров