Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Renesas Electronics America
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Renesas Electronics America,
Series: -,
Packaging: Tube,
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 35W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 9.5A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-220FP,
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Описание RJK5014DPP-E0#T2
MOSFET N-CH 500V 19A TO220 - N-Channel 500V 19A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Транзисторы полевые RJK5014DPP-E0#T2
Наличие
Техническая спецификация
Renesas Electronics America |
Manufacturer: Renesas Electronics America, Series: -, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: -, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 9.5A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220FP, Package / Case: TO-220-3 Full Pack |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров