Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Доставка 3-4 недели после оплаты
Минимальная сумма заказа – 10000 руб.
Техническая спецификация
Производитель
—
Renesas Electronics America
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Renesas Electronics America,
Series: -,
Packaging: Tape & Reel (TR),
Part Status: Active,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 250V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V,
Vgs (Max): ±30V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 30W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 8.5A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: 8-WPAK,
Package / Case: 8-PowerWDFN
Описание RJK2555DPA-00#J0
MOSFET N-CH 250V 17A TO3P - N-Channel 250V 17A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount 8-WPAK
Транзисторы полевые RJK2555DPA-00#J0
Наличие
Техническая спецификация
Renesas Electronics America |
Manufacturer: Renesas Electronics America, Series: -, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: -, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104 mOhm @ 8.5A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-WPAK, Package / Case: 8-PowerWDFN |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров