Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
ON Semiconductor
Техническая спецификация
—
Manufacturer: ON Semiconductor,
Series: -,
Packaging: Bulk,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 20V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 60W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 20A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Through Hole,
Supplier Device Package: TO-220,
Package / Case: TO-220-3
Описание 2SK3827
MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 - N-Channel 100V 40A (Ta) 1.75W (Ta), 60W (Tc) Through Hole TO-220
Транзисторы полевые 2SK3827
Наличие
Техническая спецификация
ON Semiconductor |
Manufacturer: ON Semiconductor, Series: -, Packaging: Bulk, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 20V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 60W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 20A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220, Package / Case: TO-220-3 |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров