Под заказ 3-4 недели
Покупка в 1 клик
Безналичный перевод на р/с
Доставка 3-4 недели после оплаты
Доставка 3-4 недели после оплаты
Техническая спецификация
Производитель
—
Renesas Electronics America
Техническая спецификация
—
Manufacturer: Renesas Electronics America,
Series: -,
Packaging: Digi-Reel®,
Part Status: Obsolete,
FET Type: N-Channel,
Technology: MOSFET (Metal Oxide),
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V,
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc),
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V,
Vgs(th) (Max) @ Id: -,
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V,
Vgs (Max): ±20V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17700pF @ 10V,
FET Feature: -,
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 213W (Tc),
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 55A, 10V,
Operating Temperature: 150°C (TJ),
Mounting Type: Surface Mount,
Supplier Device Package: TO-263,
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Описание 2SK3811-ZP-E1-AY
MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 - N-Channel 40V 110A (Tc) 1.5W (Ta), 213W (Tc) Surface Mount TO-263
Транзисторы полевые 2SK3811-ZP-E1-AY
Наличие
Техническая спецификация
Renesas Electronics America |
Manufacturer: Renesas Electronics America, Series: -, Packaging: Digi-Reel®, Part Status: Obsolete, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: -, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17700pF @ 10V, FET Feature: -, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 213W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 55A, 10V, Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TO-263, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Отзывы
Оставить отзыв
Загрузка отзывов...
Похожие товары
К сожалению, раздел пуст
В данный момент нет активных товаров
В данный момент нет активных товаров